Фотоелектричні явища в кремнієвих планарних n + -p-p + - структурах та фізико-технічні аспекти виготовлення фотодіодів на їх основі

Abstract

Дисертація присвячена комплексному дослідженню фотоелектричних властивостей кремнієвих планарних n + -p-p + - структур та розробці рекомендацій по вдосконаленню p-i-n фотодіодів на основі встановлених нових фізичних явищ та закономірностей. В дисертації досліджено вплив електрофізичних характеристик кремнію та концентрації домішок в легованих шарах на фотоелектричні параметри фотоприймачів. На основі визначених фізичних причин дефектоутворень на поверхні та в об’ємі структур, запропоновано ряд нових методів зниження густини кристалографічних дефектів. У дисертаційній роботі представлено нові підходи до проектування на виготовлення p-i-n фотодіодів на основі встановлених закономірностей щодо фотоелектричних властивостей кремнієвих планарних n + -p-p + - структур, які характеризуються науковою новизною. Розроблено інноваційні структури p-i-n фотодіодів із підвищеним опором ізоляції активних елементів, фоточутливістю та детективністю при мінімальних значеннях темнових струмів. Актуальність роботи полягає в широкому застосуванні досліджуваних структур та фотоприймачів на їх основі у сучасних технологіях, де важлива висока чутливість, швидкість відгуку та ефективність перетворення світлових сигналів в електричні.